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博世申请晶体管和用于制造这种晶体管的方法专利一种内部布置的V形沟槽至少部分导电的

发布时间:2025-11-13 15:25:38 点击量:

  金融界2025年8月4日消息,国家知识产权局信息显示,罗伯特·博世有限公司申请一项名为“晶体管和用于制造这种晶体管的方法”的专利,公开号CN120417429A,申请日期为2025年02月。

  专利摘要显示,本发明涉及一种晶体管,所述晶体管包括具有V形沟槽的上侧,其中,内部布置的V形沟槽至少部分导电,其特征在于,外部布置的V形沟槽至少部分不导电。此外,本发明涉及一种用于制造这种晶体管的方法。


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